Wenn es um Speichersysteme geht, so stehen sich heutzutage zwei Welten gegenüber: Auf der einen Seite gibt es die schnellen, Byte-adressierbaren Speicher, deren Gedächtnis jedoch eine ständige Energiezufuhr voraussetzt, ohne die sie schlagartig alles vergessen, und die eine relativ geringe Speicherdichte aufweisen. Auf der anderen Seite stehen nicht-flüchtige Speicher, mit hoher Speicherdichte, die nur blockweise und obendrein recht langsam angesprochen werden können.
Die nähere oder mittlere Zukunft verspricht indes, diese zwei Welten zu versöhnen: Speichertechnologien wie Phase-Change-Memory oder Spin-Transfer-Torque-Memory stellen schnelle, Byte-adressierbare und gleichzeitig nicht-flüchtige Speicher mit hoher Dichte in Aussicht. Obwohl diese Technologien ebenso für Sekundärspeicher eingesetzt werden können, scheint ein Einsatz als Hauptspeicher die wesentlich lohnenswertere Alternative zu sein.
Allgemein stellt sich die Frage, welche Auswirkungen hat der Einsatz von nicht-flüchtigem Hauptspeicher (Non-Volatile Random Access Memory, NVRAM) auf unsere aktuell eingesetzten Algorithmen und Softwaresysteme. Ebenso bring NVRAM einige Herausforderungen mit sich:
Die softwareseitigen Auswirkungen von NVRAM bzw. allgemein nicht-flüchtiger, Byte-adressierbarer Speicher (NVM) werden schon seit einiger Zeit erforscht. Bestehende Konzepte und Systeme theoretisch zu untersuchen und sie gegenüberzustellen ist daher eine Aufgabe, die es im Rahmen dieser Arbeit zu lösen gilt.
Besonders interessant erscheinende Ansätze sollen anschließend zusätzlich in praktischer Hinsicht evaluiert werden. Dafür steht ein aktuelles System bereit, das schon jetzt NVRAM auf Basis spezieller Speichermodule, die neben normalen DRAM auch Flash-Speicher beherbergen, zur Verfügung stellt.
Zu guter Letzt soll die theoretische und praktische Untersuchung bestehender Systeme als Grundlage der Identifizierung und Erörterung weiterer möglicher Probleme im Bereich von NVRAM dienen.